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距下生长2小时。
（3）金属有机气相沉积法：以金属有机物和氢化物作为原料，用热分解的方式
生长化合物半导体薄膜的一种制备方法。曹建明采用金属有机气相沉积（MOCDV）
[22,23]
技术，生长室由内外两层石英套管组成，套管外缠绕高频线圈对石墨基座加热，
并通过点伺服系统控制源的切换、生长温度和生长压力。生长室压力控制在 1-133Pa，
生长温度漂移控制在±1℃。图 1.1为 LP-MOCVD制备设备。
这种制备方法的优点是：设备简单；以热分解的方式生长，控制的参数少，适宜
批量生产；外延生长速度与金属有机源供给量成正比，可改变供给量调节外延生长速
度，实现对生长的薄膜进行精确地控制；沉积速率低，结晶质量较好；并且有机源和
反应生成物无腐蚀性；可实现低压外延生长，得到的外延层组分和厚度都较为均匀。