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1.2.3 脉冲激光沉积法(PLD)
PLD系统是利用脉冲激光器产生高功率脉冲激光束并聚焦在靶材表面一点，由此在靶材表面该点位置产生瞬间高温并将其熔蚀，产生的高温高压等离子体(T≥104K)会定向膨胀发射，便在衬底上沉积形成与靶材结构、成分相同的薄膜[8]，如图2-7。PLD系统一般经历三个物理过程：(1)激光束聚焦是靶材表面产生瞬间高温生成等离子体；(2)等离子体定向膨胀发射；(3)等离子体在衬底表面沉积形成薄膜[9]。生长不同种类薄膜要求PLD系统参数也不同，即可以通过控制PLD系统生长腔气氛、真空度和衬底温度，以及激光脉冲的频率、能量次数等来控制所生长薄膜的性质。
1. 3 有机物铁电体概述
有机铁电体最早被发现在1921年，其后，一系列有机铁电体如PVDF(聚偏氟乙烯)、内胺化合物及KDP（酒石酸氢钾）、TGS（硫酸三甘氨酸）等相继被发现。有机铁电体根据其铁电性产生机理不同分为两类：
(1)铁电性由氢键导致的铁电体。如KDP，其铁电性源于晶体中氢键的作用，因而是典型的氢键铁电体KDP晶胞示意图如图1-3所示，其H原子可与两个O原子之一形成氢键，这两个O原子等价，但H原子会向有氢键相互作用的O原子偏移。当H原子在两个位置出现的概率相等时，晶体无自发极化，即处于顺电相；当H原子在两个位置间择优取向时，氢键两侧不再等价，晶体出现自发极化，处于铁电相。