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    。 1994年，D.Teeter 和R.Wohlert 等人利用 HBT（Heterojunction  Bipolar  Transistor，
    异质结二极管）工艺设计 Ka 波段的 3 位 PIN 二极管移相器[3]
    ，其中单刀单掷开关在
    35GHz 时的插入损耗为 0.7dB，隔离度为 21dB。180°，90°，45°移相位都采用了
    高/低通型移相器。直到 36GHz，移项误差都小于10°，插入损耗误差 1dB。
    2002 年，Mary Teshiba 和 Robert Van Leeuwen 等人使用了 IBM 的 SiGe 双极技
    术（IBM’s SiGe Bipolar technology）设计了 6 位 PIN 二极管移相器，工作频段从
    7GHz 到 11GHz。180°，90°，45°，22.5°移相位采用了 PI 型或者 T型高/低通滤
    波电路结构，11.25° 和 5.625°移相位则采用了由电感和电容组成的简化电路拓扑
    结构。频带内的回波损耗小于-10dB插入损耗在 10-13dB之间，移项误差 17°，单片
    所占面积大小为3800μm×3800μm。
    国外对 MMIC的研究起步较早，设备先进，工艺成熟，MMIC工艺线可以实现代
    加工（Foundry）生产；进行了关于单片移相器的大量的研究工作，并有报道称已经
    实现了 T/R 组件的全单片化，使用 MMIC工艺实现的移相器和 T/R 组件的相控阵雷
    达已经应用于军事装备[7,8,9]
    。
    随着 GaAs 器件研究的深入，HEMT等性能优良的新器件的生产工艺不断成熟，
    使得采用这些器件的电路的性能得到了极大的提高。 Campbell等人[10]
    报道了采用0.25
    μm PHEMT 工艺技术实现的用于卫星通信系统的 K 波段五位小型 MMIC 移相器。
    在电路设计中采用电磁仿真（EM）技术，降低芯片使用面积，芯片尺寸仅为1.693mm
    ×0.750mm (1.27mm2
    )。在 19GHz 时测得移相器的插入损耗为 5±0.6dB，均方根相
    位误差为 3°。
    至今为大家所知的是，用 FET 管做控制器件的工作频段最高的移相器是
    K.Zuefle， F.Steinhagen， W.H.Haydl 和 A.Hiilsmannl， 在 1999年发表的用 PM-HEMT
    管 （0.15μm栅长） 作控制器件的W波段的4位移相器， 工作频率从92GHz到96GHz，
    中心频率是 94GHz，单片所占的面积大小是1×2.5mm2
    。180°/90°移相位采用反射
    型电路结构（3dB分支线耦合器） ，45°/22.5°移相位采用加载线型电路结构。测试
    结果表明，在整个频段内，回波损耗小于-11.6dB，平均插入损耗是 12.4dB，插入损
    耗误差是 0.8dB，测试的相移分别为：22.6°，45.5°，92.7°，183.9°。
    Pillans等人[12]
    报道了采用MEMS容性开关设计的Ka波段开关线型四位和三位数
    字移相器。在 34GHz 处，四位数字移相器的平均插入损耗小于 2.25dB,回波损耗优于
    15dB；三位数字移相器的平均插入损耗小于 1.7dB,回波损耗优于 13dB。并且两种移
    相器的相位误差都小于 13°。        本科毕业设计说明书（论文）   第  4 页  共 38页
       
    国外关于混合集成电路方面的报道比较少，Komisarczuk 报道了[11]
    一种工作在
    L-band 的四位数字移相器，22.5°、45°和 90°相移位均采用加载线型移相电路，
    180°位采用反射型移相电路。该移相器在 L-band 内 10％的带宽内获得了不大于 3
    度的相位误差，平均损耗大约 1.5dB，最大幅度不平衡度是 0.3dB。
    与国外相比，国内对 MMIC的研究起步较晚，工艺还不成熟，但也进行了不同种
    类 MMIC 的研制，包括 MMIC 移相器，并取得了一定的成果[13-16]
    。2003 年电子工业
    部第十三研究所研制出了 X波段五位数字单片移相器[16]
    ，11.25°、22.5°和 45°移
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