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1.8 V/
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48 mW 0.18 μm /
4.84 mm2 NA/ 2.4-2.5 GHz -98 dBc/Hz@100 kHz
[9] 2009 1.2 V/
3.6 mW 65 nm /
0.07 mm2 DVB-T 1-1.96 GHz -126 dBc/Hz@1 MHz
[10] 2010 1.0 V/
23 mW 90 nm /
0.11 mm2 NA 6.1-10.4 GHz -99 dBc/Hz@1 MHz
[11] 2011 1.0 V/
72 mW 65 nm /
0.37 mm2 Heterodyne Transceiver 43-51.84 GHz -97.5 dBc/Hz@1 MHz
[12] 2011 1.2 V/
20 mW 32 nm /
NA SS Serial link 20-300 MHz NA
根据近十年来的文献调查，随着工艺水平的提高，CMOS器件的特征尺寸越来越小，工作电压越来越低，整个频率合成器芯片趋于高密度和低功耗。各种新技术的提出，降低了频率合成器的输出信号杂散，减小了相位噪声，改善了环路锁定性能。同时，由于小数分频简化了电路设计，提高了信道切换速率，因而得到广泛的应用和重视。