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为了克服SOI器件在抗总剂量辐射性能方面不足的缺陷，国外进行了各方面的研究并取得了突破性的进展。美国Atmel公司在很多年前就推出了抗总剂量辐射能力超过10Mrad（Si），抗中子辐射能力达1014/cm2的SOI数模混合集成电路；美国Sandia国家实验室也在抗辐射SOI器件方面进行了很多研究，研制出各种高性能的抗辐射集成电路[11]。而我国在抗辐射SOI技术应用领域的因为研究起步较晚投入不足，跟国外还存在很大的差距。目前国内一些单位如中国科学院上海微系统与信息技术研究所、中国科学院微电子研究所等，在SOI材料以及SOI电路的研制上都做过一些工作并取得了一定的进展。67811
Si离子注入因其与现有的硅平面工艺完全兼容，是对SOI材料进行改性加固时较为常用的技术手段。不同的加固改性工艺会使得不同工艺下获得的SOI材料其埋氧层产生不同的反应，因此需要采用不同的工艺处理方法[12]。SIMOX SOI材料的加固经历了大量的研究，包括氟离子注入、氮离子注入、氮氧离子共注入、硅离子注入辅以高温退火的热过程等论文网，都曾获得了引人注目的结论[13-15]，尤以硅离子注入效果最佳。然而Si离子注入法的工艺参数对SOI材料抗辐射性能的影响是复杂的，需要进一步研究找出最优化的工艺参数。
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摘要：分别采用一步和分步注入的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料,并对退火后的材料进行了二次离子质谱(SIMS)分析,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO2/Si界面处.为了分析材料的抗辐照加固效果,分别在不同方法制作的SIMON材料上制作了nMOS场效应晶体管,并测试了晶体管辐射前后的转移特性.实验结果表明,注氮工艺对SOI材料的抗辐照性能有显著的影响.