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     图2.1  IGBT的简化等效电路图和电气图形符号
    其简化等效电路如图2.1所示，RN为晶体管基区内的调制电阻。因此，IGBT和功率MOSFET一样，是场控器件。本质区别在于IGBT具有电导效应，既当P+型衬底注入空穴到 n-型外延层引起外延层电阻率急剧降低的现象（表现为导通时RN减小）[11]，这样使得IGBT耐高压却具有很小的通态压降，使其适合大功率应用[12]。
    上述N沟道IGBT(记为N-IGBT)是由PNP晶体管与N沟道MOSFET组合而成的。相应的还有P-MOSFET，箭头与图2.1的电气符号相反[11]。
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