1.1.3      黑磷
黑磷是一种各个原子层由于范德瓦尔斯相互作用堆叠在一起的层状材料，就像体材料型的石墨。在一个单独的层中，一个磷原子以共价键与三个周围的磷原子形成一个折叠的蜂窝结构。三个共价键占具磷的所有三个价电子位置，所以，单层黑磷是一个预测为~2 eV的直接带隙在第一布里渊区点的半导体16。对于多层的磷烯，每层的带隙增加导致了层间的相互作用减少，并最终在体型黑磷中达到0.3 eV17。这样的能带结构提供了场效应晶体管（FET）所必须的禁带。
Likai Li等人成功制备了基于多层磷烯的p型场效应管18。样品表现出双极性漏电流调制到~105，以及在室温下场效应迁移率高达1000 cm2V-1s-1
1.1.4      锑
2014年，曾海波研究组通过计算机模拟的方式发现了新型二文材料锑烯19。通过模拟可发现，锑烯的二文结构十分稳定，很有希望通过机械剥离法、液相剥离法等方式制取。而且在达到一个原子厚度时，锑由半金属转变成了间接带隙半导体，带隙为2.28eV。这在微电子领域存在很大的应用前景。 基于二维锑原子晶体的场效应晶体管(4):http://www.751com.cn/cailiao/lunwen_23314.html