本征载流子浓度ni(cm-3)(300K) 1.5×10-1 5×10-9 1.6×10-6 1.0×1010 1.8×106

介电常数ε 9.72 — 9.66 11.7 12.5

由表1 可知, SiC 热稳定性极好, 它保证了在高温工作时的长期可靠性; SiC 禁带宽度宽, 漏电流比硅小几个数量级, 本征温度可达800°C 以上。这些性质使SiC 非常适用于高温电子学领域。SiC击穿电场较高, 是硅材料的8倍, 这对功率开关器件甚为关键。由于导通电阻与击穿电场的立方成反比, 所以, SiC 功率器件的导通电阻只有硅器件的1/100～1/200[4]。另外, 通过分析各种材料的优值, 如JFOM (通过材料E c、V sat来反映相应器件的高功率、高频率性能)、KFOM (通过材料λ、V sat及ε反映相应器件的开关速度和热限制) 及热优值QFOM (通过材料的λ、μ、E c 及ε反映相应器件的散热性能) , 发现SiC的几个优值都比较高, 是实现高温与高频高功率结合的一种理想材料，表1-2是几种半导体材料优值[5]的比较：

表1-2    几种半导体材料优值的比较

材料 Si Ge GaAs GaN 金刚石 3C 6H 4H

JFOM 1.0 — 2.67 16.67 90.0 26.67 41.7 50.0

KFOM 1.0 — 0.49 1.77 40.28 3.13 5.84 5.84

BFOM 1.0 0.78 13.03 — 62.03 4.71 4.31 8.04

BHFOM 1.0 0.29 10.55 11.26 1259.3 118.5 74.1 160.0

QFOM1 1.0 0.06 5.45 59.92 323340 2576 3354 8694.7

QFOM2 1.0 0.002 7.27 399.2 4H-SiC晶体中Shockley层错的TEM观察(3):http://www.751com.cn/cailiao/lunwen_76457.html