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    摘要ZnO作为一种新型的II-IV族半导体材料，由于其具有3.37eV的直接禁带宽度以及优越的光电性能，因而成为新一代光电材料，可以用来制作紫外探测器，并且已成为该领域的研究热点。而ZnO量子点相比于ZnO块体材料，具有独特的物理化学特性，在半导体器件的领域表现出其他材料无法企及的优越性能。本文采用溶液法制备分散性能良好的ZnO量子点分散液，制备完成后旋涂成薄膜，采用UV处理1.5小时进行对薄膜的表面质量改善，制成性能更加优越的ZnO紫外探测器，实验证明，UV处理后的ZnO量子点紫外探测器的I-V特性、I-t特性、光响应度和外量子效率方面都得到了改善。25807
    关键词： ZnO量子点    UV处理      量子效率     光响应度
    毕业论文设计说明书外文摘要
    Title   UV treatment improvement of ZnO quantum dot UV detector                 
    Abstract
      As a new type of II - IV semiconductor material, the ZnO becomes a new generation of photoelectric materials because it has the direct band gap of 3.37 eV width and excellent photoelectric properties. The ZnO can be used to make uv detector, and it has become a research focus in the field.  Compared to the ZnO of bulk materials,ZnO quantum dots  have  unique physical and chemical properties,  and  show better performance that other materials cannot match in the field of semiconductor devices. This paper adopts the solution preparation of ZnO quantum dots scattered the good performance of dispersion, after the completion of the preparation of paint film, using UV processing 1.5 hours to improve surface quality of the film and make more superior performance of ZnO ultraviolet detector.The experiment proved that after UV treatment of ZnO quantum dot the I - V characteristics of UV detector, I - t features, light responsivity and quantum efficiency are improved.
    Keywords   ZnO quantum dots   UV treatment  quantum efficiency   light responsivity   
    目   次
    1 绪论    1
    1.1 ZnO基本性质    2
    1.2 ZnO量子点及其特性    3
    1.3 ZnO纳米材料的制备方法    5
    1.4 ZnO纳米材料的应用    8
    2 实验原理及方法    10
    2.1 实验试剂及设备    10
    2.2 实验过程    10
    2.3 测试设备及原理    12
    3 ZnO纳米晶表征    15
    3.1 XRD表征    15
    3.2 TEM表征    15
    3.3 UV—Vis表征    16
    3.4 PL表征    16
    3.5 SEM表征    17
    4 UV处理前后紫外光电导性能研究    18
    4.1 I-V特性    18
    4.2 I-t特性    19
    4.3 响应度（R）特性    20
    4.4 外量子效率特性    21
    结论    23
    致谢    24
    参考文献    251 绪论
    材料在人类社会的发展过程中扮演着至关重要的角色，是人类赖以生产和生活的物质基础，而在信息技术飞速发展的今天，半导体材料以其独特的性能优势引发了新材料的研究热点。半导体材料经历了几代的发展;
    (1)第一代半导体是“元素半导体”，以硅（锗）为代表，广泛地应用在信息的传输、控制。存储等方面。
       （2）第二代半导体是“化合物半导体”，以砷化镓（GaAs）为主，为了迎合人们对信息的传输、处理越来越高的要求。
       （3）第三代半导体是“宽禁带半导体”（Eg＞2.3eV），以氮化镓(GaN)、氧化锌（ZnO）为主，可用来制作高温、高频、大功率电子器件 。主要半导体材料的性物理化学质比较见下表(表1.1)。
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