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利用基片集成波导可以形成无源微波器件文献综述，包括天线、滤波器、振荡器、功分器、定向耦合器等，可以展现出与传统金属波导微波器件相媲美的性能。比较具有代表性的研究有赵毅的《基片集成波导微波毫米波无源器件研究》，他利用矩形波导与基片集成波导在传播特性上的相似性，采用了矩形波导无源器件的设计方法，对基片集成波导无源器件的设计方法进行了基础性的研究，包括基片集成波导滤波器，功率分配器，定向耦合器等无源器件的设计。[5] 李荣强的《基于基片集成波导的微波无源电路研究》详细地研究了一些高性能基片集成波导滤波器的设计理论与技术，包括横向谐振器滤波器，源/负载与多谐振器交叉耦合的滤波器和双模滤波器，还对基于半模基片集成波导的耦合器进行了研究。[6]源]自=751-·论~文"网·www.751com.cn/
在基片集成电路的四种不同类型（基片集成波导、基片集成板波导、基片集成非辐射介质波导、基片集成镜像波导）中，基片集成波导技术是目前最为流行且发展得最好的，未来的发展趋势会关注低价、高表现的基片集成电路在微波、毫米波领域的光电子应用[7]。
3 基片集成波导单个纵向缝隙的辐射特性
3．1 基片集成波导与介质填充波导的等效
矩形波导中主模TE10模的表面波如图3.1所示，容易看到金属化的通孔不会切断窄边上的表面电流，即不会影响波导内部的场分布，这意着TE10模不会发生辐射，可以在波导内传输。因此，基片集成波导结构完全可以由介质基片上的两列对称的金属化通孔阵列来实现，如3.2所示。图中，w表示由金属化通孔构成的波导宽度，h表示基片厚度，d表示孔径，s表示孔间距，基片集成波导的传播常数和辐射损耗主要受到w, d, s的影响，通过增大h或选择较低损耗的介质基片，可以方便地得到高Q值的基片集成波导器件，且不会像微带线那样随着厚度的增加而使得损耗也显著增加。