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Moloney 等人报道了 L波段五位移相器[27]
，低移相位使用加载线移相电路 90°和
180°移相位为高通(T 型)/低通(π型)滤波器型移相电路，使用串联 FET 开关实现开
关路径的转换。
随着 GaAs器件技术的发展，PHEMT等性能优良新器件的工艺技术不断成熟，采用
这些器件的电路性能得到了极大的提高。Campbell 等人报道采用0.25μm PHEMT工艺
技术实现了用于卫星通信系统的 K 波段五位小型 MMIC 移相器。在电路设计中采用电
磁仿真(EM)技术，降低芯片使用面积，芯片尺寸仅为 1.693mm×0.75mm(1.27mm2
)。在
19GHz 时测得的移相器的插入损耗为 5dB±0.6dB，均方根相位误差为 3°。0.25μm
PHEMT工艺技术的应用为单片集成其它 K波段的高性能器件提供了条件。
近年来，MEMS 技术的飞速发展促进了高性能 MEMS 移相器的出现，在高性能微波
天线系统和通信系统中有着广阔的发展前景。随着材料技术和器件工艺技术的不断发
展，MMIC移相器将继续向高性能、小型化，以及 T/R组件的全单片化方向发展，同时
降低成本仍是MMIC电路得以广泛应用的前提条件。
1.4 本文的主要工作
本课题属于微波器件研究领域，针对数字式移相器的理论分析和设计作了一定的
研究和比较，分析了数字移相器电路的设计原理，各种元器件的计算建模方法，使用
Agilent 公司的 Advanced Design System 2009(ADS 2009)软件进行数字移相器的设计，
各章内容如下：
第一章：引言，介绍了 MMIC 发展概况，总结了目前国内外 MMIC 技术以及移
相器发展现状，强调了 MMIC 技术在军用和民用的重要应用，论述了本课题研究的重
要意义；
第二章：对器件建模概述，介绍了 MMIC 无源器件的建模以及开关器件—PIN二
极管的模型与等效电路；
第三章：详细介绍了各种移相器的电路结构及它们的工作原理，并针对移相器性
能参数、优缺点、适用相移范围等进行了详细的比较和分析；
第四章：本文的重点，提出了五位数字式移相器电路的每位的电路拓扑，并利用
ADS 软件进行了仿真、优化，并对仿真结果进行了分析。