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        1.3论文的主要内容
    本文主要介绍GaN基LED，先是介绍了GaN的性质和应用，再把GaN基LED分为传统正装结构和垂直结构，分析它们的器件结构，并对它们的光学性进行了分析和比较，主要包括：测量不同注入电流下GaN基LED的发光光谱，分析其发光波长、发光强度以及半高宽等参数的变化。不仅对比了垂直结构LED和传统结构LED的光学特性，还简单可以更全面了解GaN基LED。并阐述了利用MOCVD技术对GaN基蓝光LED制备，对其稳定性进行了研究。
    2. GaN基材料的性质及器件应用
        2.1 GaN的晶体结构 
    第三代半导体材料是继Si和GaAs材料后的具有稳定的化学性的Ⅲ族氮化物，其熔点高、硬度高、热导率高且电子迁移率高，而且具有优异的物理、化学性质，比如强的抗辐照能力等。Ⅲ-Ⅴ族氮化物中，GaN与常用的Si和GaAs材料相比是研究最多的材料，尽管这样，GaN还是有许多我们不知道的特性。早期GaNp的n型载流子有很大的浓度，在衬底材料的选择上面难以找到合适的，导致研究人员在掺杂及加工方面感到很困难，受到了很大的挫折。GaN作为蓝光、紫光发射器件具有广泛的应用性，这使得人们对它非常感兴趣，也正是因为这样，GaN的光学特性是研究人员花费很多心血研究测量的。
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