透明导电氧化物薄膜的制备技术及性能研究(3)

Yakuphanoglu等人[6]报道了溶胶- 凝胶法旋涂n型氧化镉或者 p型硅异质结二极管的性能，二极管显示出37±2V的整流比并具有6.41 kΩ的串联电阻。该二极管具有最大开路电压为0.12 V以及短路电流为0.53×10-6A。在各种偏置电压下，界面态密度的值从7.82×1013变化到3.02×1012eV-1cm-2。据报道，沉积在p型硅衬底上的氧化镉的纳米团簇存在开路电压为0.41 V，光照强度AM1.5下短路电流密度为2.19mA/ cm2. 这些值比其它太阳能电池低，这个研究打开了进一步发展的可能性。

Murali等[7]报告了在p型硅衬底上利用溶胶- 凝胶法浸涂铝掺杂氧化镉的太阳能电池的研究。未掺杂的薄膜的电导率为0.5×103mho cm-1, 掺杂后增加至1.5×103 mho cm-1 。随着铝浓度的增加迁移率从250下降到35cm2V-1s-1。在90mW/ cm2的照明下进行的太阳能电池的研究具有0.62V的开路电压，16mA/cm2的短路电流密度和9.55％的效率。