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南京理工大学沈瑞琪教授等人于2004年开始研究含能桥膜材料，开始选择对Al-CuO，Zr-CuO和Mg-CuO三种反应体系进行制备和性能研究，然后着重对A1／CuO复合薄膜材料进行热分析[11]、测试了Al／CuO复合桥膜电爆性能 [12]以及在CuO纳米线生长[13]等方面做了大量研究。
2009年，上海交通大学的任振[14]在分析半导体器件暴露于电磁环境时可靠性问题的基础上，利用混合时域有限元方法对器件进行瞬态电-热综合分析，并通过计算机仿真得到了半导体物理方程和热力学方程，获得了器件的温度分布。得到结果，半导体桥电子器件受到电磁脉冲会产生了剧烈的热效应，且温度逐渐升高，以至于会达到材料的熔点，从而损坏器件。
2010年，军械工程学院的穆丽军[15]等人通过对电火工品静电作用的机理进行分析，提出使用瞬态脉冲的试验原理测试ESD对电火工品的性能影响，并利用瞬态脉冲方法得到的温升参数对样品进行了分组，消除了个体差异，研究结果表明，经过ESD后，电火工品的桥丝温升值变大，作用时间变长，因此，可以用瞬态脉冲试验法检测经ESD后电火工品的性能变化。
在2011年朱朋等人发表的一篇文章中，首次提出了“介电式反应复合膜”这个概念[16]，指出了一种新的薄膜电阻加热方式，指出该“介电式"新结构不仅能降低通电时点火桥提前意外断裂的概率，同时还能提高A1／CuO复合薄膜之间的化学反应程度，并以此对Ti／CuO[17] 、Al/CuO [18]、Al/CuO／B／Ti[19]等复合膜材料的电爆性能做了研究。
叶林等人[20]研究了NTC热敏电阻对半导体桥火工品射频加固技术的应用。NTC热敏电阻具有负温度系数特性，实验时将NTC热敏电阻紧贴在陶瓷塞的下端面，与半导体桥并联。当半导体桥处于强烈的电磁环境或受到电磁作用时，半导体桥的温度会逐渐升高。而随着温度的上升到达某一值时，热敏电阻的阻值会迅速变小，则使得大量电流从热敏电阻流过，流经半导体桥的电流就会很小，半导体桥的温度也就随之降低。当电磁作用过后，热敏电阻的阻值又会恢复到原来的高电阻状态，不影响半导体桥的正常作用。1A1W5min实验表明NTC热敏电阻能够很好的保护半导体桥火工品受射频的影响。电容放电发火实验表明并联热敏电阻的半导体桥的点火性能也未受影响。