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    2.1.1硅光电二极管工作原理

    硅光电二极管在无光照射的条件下,若给PN结加一个适当的反向电压,则内建电场被增强,PN结空间电荷区将会变宽,势垒增大,使流过PN结的暗电流(或称为反向饱和电流)很小。暗电流是少数载流子漂移运动造成的[7]。

    在辐射光照射硅光电二极管时,如果光子能量大于或等于材料禁带宽度,光生空穴和光生电子分别被拉向P区和N区,少数载流子运动造成的光电流便在外加电场作用下形成了。辐射光越强,那么在相同前提下生成的载流子就会越多,光电流更大。

    如果把硅光电二极管和负载电阻串联,负载电阻的两端会获得按光照度变化电压信号,将实现光信号和电信号之间的转化。硅光电二极管成本低廉、抗噪性好且不需要复杂的系统设计。

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