结  论
本实验研究了脉冲激光沉积法制备PZT薄膜的方法中衬底温度、退火温度对PZT成膜特性的影响。主要得到如下结果：
（1）用PLD法制备PZT薄膜，薄膜与Si(100)衬底之间粘合得很好，薄膜表面很光滑，无裂纹，无孔洞，状态良好。
（2）在脉冲激光沉积法制备PZT铁电薄膜的实验中，衬底温度对PZT成膜特性有很大的影响，衬底温度过低不利于PZT薄膜结晶。结合实验与理论分析推导出衬底温度主要是通过沉积过程中应力造成能量释放引起相变来影响薄膜的微观结构的，在其它实验参数一定的条件下，存在一个最低衬底温度，低于此温度下沉积的薄膜为非晶态。在本实验中，当衬底温度低于450℃时，沉积制备的PZT薄膜为非晶态。
（3）退火温度影响PZT薄膜中钙钛矿相结晶的择优取向性。从XRD结果可以看出，700℃退火时，钙钛矿相的择优取向为(200)晶向；600℃退火时，钙钛矿相的择优取向为(101)晶向；而550℃退火时，钙钛矿相为(102)择优取向。 Pb(Zr,Ti)O3薄膜的PLD生长研究+文献综述(9):http://www.751com.cn/cailiao/lunwen_1764.html