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铕掺杂锗酸铋红光LED材料的制备与发光性能(3)

时间:2019-06-09 14:17来源:毕业论文
1.3.2 吸收机制 在显示器和照明器件,在 UV范围内的励磁磁通不能被有效地通过 Eu3+的4f-4f吸收跃迁,这是由选择禁止规则。为了获得一种有效的荧光体,有


1.3.2 吸收机制   在显示器和照明器件,在 UV范围内的励磁磁通不能被有效地通过 Eu3+的4f-4f吸收跃迁,这是由选择禁止规则。为了获得一种有效的荧光体,有必要以吸收辐射通过允许过渡。由于Eu3+离子容易降低,电荷传输带将出现在低能量。   通过电荷转移吸收的能量(CT)的频带将被转移到 5DJ水平,最终使发光 7FJ的物质。在CT带的位置取决于配位体的性质,其大小和主机阳离子的性质和该点的配位数。所述多个共价的基质是,在 CT频带的较高的能量(YBO3> Y2O3> Y2O2S)。因此,Y2O3:Eu荧光体只能有效地激发在 254纳米(线性荧光灯经典的汞排放),同时 YBO3:Eu 的只能在更高的能量(172纳米,在经典的 Xe–Ne激发线激发 PDP的应用程序)。它不能在经典照明使用。   最商业化的Eu3+基于荧光体(或曾经是): Y2O3:Eu3+:荧光灯(管和紧凑型)照明,LCD 背光,等离子显示器,投影电视(射线管技术) (Y,GD)BO3:Eu3+:等离子显示器 Y2O2S:Eu3+:CRT Y(V,P)O4Eu3+:高高压水银荧光灯(改善指数)   今天,由于技术的演进,将“YOX”荧光体,即,(Y,Eu)2O3是在几乎所有的应用中使用。粒径,Eu含量以及一些微调次要共掺杂也已经被开发,以提高其性能。另一个非常重要的优点是它的高化学稳定性。 铕掺杂锗酸铋红光LED材料的制备与发光性能(3):http://www.751com.cn/cailiao/lunwen_34422.html
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