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    热稳定性    好    差    好    极好    极好    极好
    禁带宽度(eV)    1.12    1.43    3.39    2.23    3.26    3.02
    最高工作温度(K)    600    760    1130    1250    1580    1580
    临界电场(MV/cm)    0.25    0.4    3.3    1.2    2.2    2.5
    热传导率(W/cm•K)    1.5    0.46    1.3    4.9    4.9    4.9
    电子迁移率(cm2/Vs)    1350    8500    1000    1000    1140    400
    空穴迁移率(cm2/Vs)    480    400    150    40    115    40
    饱和漂移速度(107cm/s)    1.1    1    2.7    2.2    2    2
    介电常数    11.8    12.8    9    9.7    9.6    10

    从表1.1可以看出SiC与Si相比,前者的禁带宽度约为后者的2-3倍,热导率约为3倍,临界击穿电场强度约为8倍,载流子的饱和漂移速度约为2倍。这些优点使得SiC材料在高温高压大功率等方面的应用比Si和GaAs更加优越。
    碳化硅功率器件多用于制作肖特基二极管(SBD)以及结势垒肖特基二极管(JBS)。肖特基二极管是指金属-半导体接触二极管,与传统的PN结相比,由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,所以他的正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V);由于SBD是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少,故开关速度非常快,开关损耗也特别小,尤其适合于高频应用;但是,由于SBD的反向势垒较薄,并且在其表面极易发生击穿,所以反向击穿电压比较低。因此SBD比PN结二极管更容易受热击穿,反向漏电电流比PN结二极管大。为了综合SBD和PN结的优点,人们开发出了结势垒肖特基二极管(JBS),它同时具有了SBD正向导通电压低,回复时间快以及PN结反向击穿电压高的优点。
    1.3  碳化硅肖特基二极管的主要研究热点
    碳化硅肖特基二极管器件的制造的关键主要在三个方面,分别为SiC晶体的制备、金属的选择与欧姆接触以及结终端技术。
    1.3.1  碳化硅单晶的制备方法
    文献[2]中提到常见的制备方法有溅射法、液相外延法、分子束外延法和化学气相沉积法等。而实际生产中化学气相沉积外延生长SiC是运用最多的制备方法。外延生长又分为同质外延和异质外延,同质外延是指在碳化硅晶体上外延生长碳化硅,而异质外延是指在Si或蓝宝石等其他材料上外延生长碳化硅。文献[3]中提到,同质外延生长的4H-SiC外延薄膜厚度不均匀性为1.48%,说明化学气相沉积生长的同质外延薄膜厚度比较均匀,同时还表明了厚度均匀性和掺杂浓度,表面形貌以及硅烷流量存在联系。文献[4]中提到Si衬底上异质外延生长的SiC薄膜虽然面积大但是存在较大的晶格适配(约20%)和热膨胀系数适配(约8%),所以在外延薄膜中存在大量适配应力所引起的缺陷。而CVD法制得的4H-SiC同质外延材料质量较高,可以直接用于器件制造。文献[5]中采用了化学气相沉积法分别在碳化硅、硅以及蓝宝石衬底的不同晶面上外延生长SiC薄膜,发现薄膜的质量随生长温度的提高而增加,薄膜生长模式是由开始的三文岛状慢慢过渡到二文生长方式。同时文献[2,5]中都提到了异质外延时,对Si表面进行碳化或者增加缓冲层都有利于提高薄膜质量。总体来说同质外延和异质外延各有优缺点,并且互补,以Si为异质外延衬底便宜且面积可以做大,但是缺陷多质量低。相反的同质外延生长的材料虽然质量好,但是也存在衬底成本高,面积小等不足。
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