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（5） 将制成的导电银浆玻片放入烘箱中，100℃下干燥5小时。
（6） 取出玻片，清洁，银基底玻片制成。
其装置控制过程示意图如图2.4所示：
2.4喷墨打印控制过程
银基底玻片制作过程如图2.5所示：
2.5银基底玻片制备过程
银基底玻片规格：银线长2cm，宽度为0.25mm。
银基底制备装置：锡焊机（图2.6），喷墨打印机（图2.7，图2.8）。
图2.6锡焊机
图2.7喷墨打印机控制部分
图2.8 喷墨打印机操作部分
2.2.2铂基底制备工艺
本实验中所使用的铂阴极玻片是通过图形反转工艺制成的。其制备工艺大致可分为三步，第一步为光刻，第二步为镀膜，第三步为剥离工艺（lift-off）。
图形反转工艺是一种新型的剥离技术，正性光刻胶是曝光后的区域会在显影液中溶解，留下的光刻胶图形与掩膜板上金属线遮蔽的部分相同；负性光刻胶与正性相反，曝光区域显影时不溶解，得到的光刻胶图形与掩膜板未遮蔽部分相同；图形反转工艺是使用阳板和反转光刻胶来实现负性光刻胶得到的图形。图形反转工艺剥离技术的工艺过程如图2.9所示：
图2.9 图形反转工艺原理
AZ5200E光刻胶是在正性光刻胶中添加活性成分，在一定的反转烘温度下，活性成分能与曝光区域光反应的产物发生二次反应，改变产物的物理性质，使其在显影液中变的难溶，因此可以反转图形。由于紫外光在光刻胶中传播时的散射、衰减和吸收，首次曝光时上层光刻胶接受的曝光剂量会高于下层，形成一个倒八字形的光反应区域，图形经过反转后，光刻胶层会形成上宽下窄的倒台形结构。上宽下窄的光刻胶结构在剥离工艺中具有决定性的作用，沉积薄膜后经过去胶剥离就得到了与掩膜板上金属线路一样的图形。
本实验中所用的图形反转光刻胶的图形化工艺如下所示：
（1）、匀胶
匀胶使用中科院微电子研究所的KW-4A型匀胶机，光刻胶为北京化学试剂研究所生产的BP212正性非离子型光刻胶。基片的匀胶有两个工艺参数：匀胶时间和转速。实验表明当匀胶转速低于3000 r•min-1，或者匀胶时间少于15s时，涂覆的胶膜会出现不均匀的情况，基片边缘的胶膜要明显厚于中央区域，这种结构会造成接触式曝光过程中紫外光通过掩膜板和基片的间隙发生衍射，光反应区扩展，显影出的图形尺寸变化甚至得不到需要的图形，本次实验使用激光共聚焦显微镜测量了胶膜在启动匀胶时间Ⅰ：3秒、工作匀胶时间Ⅱ：15秒情况下，不同的匀胶转速下胶膜的厚度。如图2.10所示为匀胶转速与胶膜厚度的关系曲线。
图2.10 胶膜厚度与匀胶转速的关系
本实验选择匀胶速率为3000 r•min-1，在此速率下胶膜厚度为：1.7µm。
（2）、前烘
AZ5200E光刻胶是一种对温度比较敏感的光刻胶，本实验进行了相同的前烘温度下（110℃），不同前烘时间的对比实验，实验发现：前烘时间3~5s时，经过后续光刻反转后胶膜能够完全显影，无底膜残留，桥形阵列图形清晰；前烘时间为8s时，显影后只能出现部分图形，图形底部有残胶，延长显影时间任然无法完全去除；当前烘时间超过10s后，显影后完全无法得到所需要的形状。
（3）、曝光
AZ5200E光刻胶组成成分有：光活性物质重氮萘醌、成膜剂和溶剂。经过前烘坚固过的光刻胶膜在紫外光照射下，曝光区域发生光化学反应，光活性成分重氮萘醌发生分子重排生成五元环烯酮，并放出氮气，反应方程式如式（2.1）所示。