菜单
  
    摘  要:随着社会的发展科技的进步,半导体材料对社会产生了重要的影响,受到了人们广泛的青睐。本文采用磁控溅射技术来制备SiC薄膜,探究Co掺杂含量对SiC薄膜发光性能的影响。采用EDS(能量色散谱扫描分析图)、XRD(X 射线衍射)、 XPS(X 射线光电子能谱)、SEM(扫描电子显微镜)、PL(光致发光谱)技术对薄膜的结构、成分和形貌进行了分析,结果表明1200℃退火后,薄膜形成了3C-SiC结构,同时有CoSi化合物的生成,证实了CoSi第二相化合物的存在,同时薄膜光致发光特性的研究证实了薄膜里面C团簇的存在,而C团簇导致了薄膜发光。30362
    毕业论文关键词:半导体材料;SiC薄膜;发光性
    Effect of Co Doping on The Luminescence Properties of SiC Films
    Abstract: With the progress of social development of science and technology, semiconductor material on social produced an important influence, has been favored by people with a wide range of. This article uses the magnetron sputtering technology for the preparation of SiC thin film, explores the Co doping content on the properties of SiC thin film glowing effect. By EDS (energy dispersive spectrum scanning analysis diagram), XRD (X-ray diffraction), XPS (X-ray photoelectron spectroscopy) and SEM (scanning electron microscope), PL (photoluminescence luminescence spectrum) of technology on the film structure, composition and morphology were analyzed, the results show that 1200 ℃ after annealing, thin film formed 3C-SiC structure, at the same time there is CoSi compounds generated, confirmed the existence of the second phase of compound CoSi, and photoluminescence properties research confirmed that the thin film in the presence of C clusters and C clusters led to the film.
    Key Words:Semiconductor materials; SiC thin film; Luminous performance
    摘要:    1
    引言    1
    1. SiC稀磁半导体    2
      1.1 SiC的概述    2
      1.2 SiC的结构    2
      1.3 SiC半导体器件    3
      1.4 SiC稀磁半导体研究现状    3
    2. SiC薄膜的制备    3
      2.1 实验研究思路    4
      2.2 SiC薄膜的制备    4
    3. Co掺杂SiC薄膜的表征    5
      3.1 Co掺杂SiC薄膜的摻杂含量    5
      3.2 Co掺杂SiC薄膜的晶体结构    5
      3.3 Co掺杂SiC薄膜的表面的形貌及膜的厚度    6
    4. Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜的缺陷分析    7
      4.1 浓度不相同Co掺杂SiC薄膜的光致发光谱    7
      4.2 退火温度不相同Co掺杂SiC薄膜的的光致发光谱    8
    5. 结论    8
    参考文献    10
    致谢    11
    Co掺杂含量对SiC薄膜发光性能的影响
     引言
        目前,Si作为第一代电子材料在半导体工业中仍然占主要地位。第二代电子材料从20世纪60年代开始发展,即III-V族的化合物半导体;由这些半导体不仅创造出高性能微波和数字电路的新市场而且构成了光电子器件的基础[1]。同时,第三代电子材料也迅速发展起来,并且它们将对电子学产生深远影响。
        SiC材料作为第三代半导体成为各国争相研究的重点,由于SiC优越的物理特性:带隙相对较宽、电子饱和漂移速率相对较快、热导率足够高、化学稳定性相对比较稳定等特性,使SiC材料成为高温宽禁带半导体器件之一,受到越来越多人们的青睐[2]。因此,探究Co掺杂含量对SiC薄膜发光性能的影响对第三代半导体的探究有其必要的意义,而且能更好的对SiC稀磁半导体前景作展望。
  1. 上一篇:中学生请物理家教利与弊的调查研究
  2. 下一篇:激光测厚方法及其改进
  1. 应变对双钙钛矿氧化物Sr2FeMoO6物性的影响

  2. 毫秒激光对光电二极管的...

  3. 激光清洗原理及应用

  4. 牙齿结构特性对激光超声...

  5. 激光雷达测距统计特性对目标识别的影响研究

  6. Comsol长脉冲激光参数对在...

  7. 缺陷态对石墨烯能隙的调控

  8. 河岸冲刷和泥沙淤积的监测国内外研究现状

  9. 杂拟谷盗体内共生菌沃尔...

  10. 当代大学生慈善意识研究+文献综述

  11. 电站锅炉暖风器设计任务书

  12. 酸性水汽提装置总汽提塔设计+CAD图纸

  13. 十二层带中心支撑钢结构...

  14. 大众媒体对公共政策制定的影响

  15. java+mysql车辆管理系统的设计+源代码

  16. 中考体育项目与体育教学合理结合的研究

  17. 乳业同业并购式全产业链...

  

About

751论文网手机版...

主页:http://www.751com.cn

关闭返回