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    1. SiC稀磁半导体
    1.1 SiC的概述
    第三代半导体材料的SiC,随着科技的发展受到了社会的认可,因此SiC半导体材料有十分庞大的潜在市场,对于SiC半导体材料的物理特性的了解,本文通过SiC 和Si、GaAs 之间的性能参数的比较可以看出:
    表1 性能参数的对比
    材料    Si    GaAs    3C-SiC    6H-SiC    4H-SiC
    禁带宽度Eg(eV)    1.12    1.42    2.36    3    3.23
    热导率(w/k.cm)    1.5    0.54    4.9    4.9    4.9
    相对介电常数    11.9    12.5    10    9.7    9.7
    电子报和飘逸速度(cm/s)    107    2×107    2×107    2.5×107    2.5×107
    击穿电场(V/cm)    3×105    4×105    (1~5)×104    (1~5)×104    (1~5)×104
    熔点(k)    1690    1510    >2100    >2100    >2100
    莫氏硬度    7    <6.25    9    9    9
    克氏硬度(Kg/mm2)    1100~1400    700~800    3000    3000    3000
        SiC材料不仅具有优越的物理化学特性而且其工艺技术也在不断地发展,但是SiC器件还是有缺点的;因此可以通过对SiC材料进行探究,通过改造SiC器件的结构、提高器件工艺技术或者探索新型的器件结构来充分发挥SiC材料的优势[3]。
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