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宽带隙半导体纳米晶的制备及光电性能(4)

时间:2019-03-02 14:46来源:毕业论文
W=I2R 由公式可以看出其电流不宜过大,否则产生的热量足以破坏仪器本身,且不能长时间蒸镀,内置线路会长期高温而变得损坏,根据经验电流控制在16


W=I2R
由公式可以看出其电流不宜过大,否则产生的热量足以破坏仪器本身,且不能长时间蒸镀,内置线路会长期高温而变得损坏,根据经验电流控制在160A以下。
主要分为三大系统部分组成
首先是真空系统,包括机械泵、电磁阀、分子泵、真空室、水冷机。
其次是电气系统,包括了气压测量系统,成膜厚度测量系统以及基片旋转、照明系统
最终是电阻加热系统。 宽带隙半导体纳米晶的制备及光电性能(4):http://www.751com.cn/cailiao/lunwen_30701.html
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